Nur Lailatul Zuhro’ (1155201028)

Perkembangan RAM : Random Access Memory

Kemungkinan semua orang yang bercimpung dalam dunia komputer sudah mengenal yang namanya RAM (Random Access Memory). Disini akan dijelaskan perkembangan dari RAM itu sendiri. Semua data dan program yang dimasukkan melalui alat input akan disimpan terlebih dahulu di memori utama, khususnya RAM yang dapat diakses secara acak (dapat diisi/ditulis, diambil, atau dihapus isinya) oleh pemrogram.

Kecepatan komputer selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu super komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory komputer.

Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory computer. Adapun jenis-jenis RAM yang disesuaikan dengan perkembangan prosesor dan motherboard komputer akan dijelaskan dibawah ini:

1. EDO RAM (extended data out), Merupakan jenis RAM yang dipasang pada slot jenis SIMM di motherboard yang memiliki 72 pin. EDO RAM digunakan pada komputer sekelas Pentium I dan memiliki kapasitas dari 1Mb sampai dengan 32 Mb
2. SDRAM (synchronous dynamic RAM), SDRAM merupakan jenis RAM yang memiliki 168 pin saluran transfer data. Ciri-cirinya adalah terdapat dua celah dibagian kakinya. RAM jenis ini diletakkan atau ditancapkan pada slot DIMM/SDRAM di motherboard yang mampu menampung memory mulai 16 Mb hingga 1Gb, tergantung pada kemampuan motherboard dan slot DIMM yang disediakan. Kapasitas yang ada dipasaran saat ini mulai dari 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb hingga 1 Gb. Jenis SDRAM biasanya digunakan untuk komputer sekelas Pentium II sampai Pentium III.
3. DDR & DDR 2 RAM (double data rate RAM), DDR & DDR 2 RAM merupakan jenis RAM yang banyak digunakan pada era komputer sekelas Pentium IV. DDR RAM ini memiliki satu celah dibagian kakinya dan dipasang pada slot DIMM/DDR yang memiliki 183 pin dimotherboard. DDR RAM mempunyai kecepatan transfer dan menyimpan data hampir 2 kali lipat dibandingkan RAM jenis SDRAM. Kapasitas yang dimiliki RAM jenis DDR RAM ini dimulai dari 128 Mb hingga 1 Gb perkeping memorinya.
4. DDR 3 RAM (double rate RAM), Merupakan jenis RAM yang terbaru dewasa ini karena penerus dari jenis RAM DDR 2 yang memiliki bus speed dan throughput lebih tinggi dibandingkan dengan jenis RAM DDR2. DDR3 RAM (clock 400-800 MHz) ini mampu mentransfer data dengan clock efektif sebesar 800 - 1600 MHz, jauh lebih tinggi dibandingkan DDR2 RAM (200 - 533 MHz) sebesar 400 - 1066 MHz dan DDR RAM (100 - 300 MHz) sebesar 200 - 600 MHz. Standar DDR3 RAM adalah pada setiap chipsetnya memiliki kapasitas sebesar 512 Mb sampai dengan 8Gb, dimana setiap modul menampung hingga kapasitas 16 Gb.

5.      RD RAM (rambus dynamic RAM), Merupakan jenis RAM yang dipersiapkan untuk komputer sekelas Pentium IV yang sudah memiliki modul dual channel dengan kapasitas mulai 128 Mb hingga 1 Gb dan frekuensi bus (PC) 800, 1024, 1066. RAM jenis ini mempunyai kemampuan lebih tinggi dibandingkan jenis DDR RAM pada kelas komputer Pentium IV, tetapi harga dipasaran sangat tinggi. Jenis ini jarang digunakan pada komputer saat ini

Namun ternyata RAM saja belum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.

Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.

IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.

Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.

kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. cepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.